رابطه ی پاشندگی و نرخ رشد در لیزر الکترون آزاد دو جریانی با میدان مغناطیسی ویگلر پیچشی و کانال یونی

رابطه ی پاشندگی برای لیزر الکترون آزاد دو جریانی با میدان مغناطیسی ویگلر با هدایت کانال یونی در رژیم رامان مورد بررسی قرار گرفته است، این رابطه ی پاشندگی برای امواج الکترواستاتیک و الکترومغناطیس جفت شده به دست آمد، همچنین رابطه ی پاشندگی برای موج راستگرد در غیاب موج چپگرد و موج بار – فضا و به طور مشابه برای موج چپگرد در غیاب موج راستگرد و موج بار – فضا نیز به دست آمد.رابطه ی پاشندگی لیزر الکترون آزاد دو جریانی با میدان مغناطیسی ویگلر پیچشی و کانال یونی به طور عددی حل شده است که در نتیجه ی این حل عددی افزایش چشمگیر نرخ رشد در لیزر الکترون آزاد دو جریانی در مقایسه با لیزر الکترون آزاد تک جریانی برای هر دو گروه i و ii مشاهده شده است. ماکزیمم نرخ رشد به عنوان تابعی از فرکانس کانال یونی نرمالیزه شده مورد مطالعه قرار گرفته و نشان داده شد که در گروه i با افزایش فرکانس کانال یونی نرخ رشد افزایش و در گروه ii نرخ رشد کاهش می یابد.